Компания Samsung анонсировала первые в отрасли твердотельные накопители, выполненные с применением передовой технологии трёхмерной вертикальной NAND-памяти — 3D V-NAND. Названная методика предусматривает использование структуры вертикальных ячеек, а также технологии 3D Charge Trap Flash (CTF) и вертикальных межсоединений, пронизывающих трёхмерный массив ячеек. По сравнению с обычной флеш-памятью технология 3D V-NAND позволяет увеличить надёжность работы накопителей (в 2-10 раз) и поднять скорость передачи данных (до двух раз).