Компания Samsung Electronics заявила о запуске массового производства первой в отрасли так называемой трёхмерной вертикальной NAND-памяти (Vertical NAND, V-NAND). Новинка, как утверждают разработчики, превосходит существующие решения по масштабируемости, а также позволит добиться увеличения производительности. V-NAND-память может использоваться в потребительской электронике и корпоративных приложениях, в том числе, встраиваемой NAND-памяти и SSD-накопителях. Новые чипы характеризуются ёмкостью 128 Гбит и используют структуру вертикальных ячеек, а также технологию 3D Charge Trap Flash (CTF) и вертикальные межсоединения, пронизывающие трёхмерный массив ячеек.