В биполярных транзисторах ток обусловлен движением носителей заряда двух типов: электронов и дырок, что и определяет их название.

На схемах транзисторы допускается изображать, как в окружности, так и без нее (рис. 1).

Стрелка указывает направление протекания тока в транзисторе. Основой транзистора является пластина полупроводника, в которой сформированы три участка с чередующимся типом проводимости — электронным и дырочным. В зависимости от чередования слоев различают два вида структуры транзисторов: р-n-р (рис. 1, а) и n-р-n (рис. 1, б).

Эмиттер (Э) — слой, являющийся источником носителей заряда (электронов или дырок) и создающий ток прибора.

Коллектор (К) — слой, принимающий носители заряда, поступающие от эмиттера.

База (Б) — средний слой, управляющийтоком транзистора.

Проверка исправности биполярных транзисторов

Для проверки транзистора необходимо проверить исправность переходов база — коллектор, база — эмиттер по методике проверки исправности полупроводникового диода (см. проверка диода), т. к. каждый из переходов биполярного транзистора является аналогом диода (рис.2).

После этого необходимо проверить отсутствие пробоя между коллектором и эмиттером транзистора, которое при любой полярности приложения щупов омметра (мультиметра) должно быть близко к бесконечности.

Примечание:

Некоторые типы мощных транзисторов могут иметь встроенный диод между коллектором и эмиттером, а так же защитный резистор 30—50 Ом между эмиттером и базой.